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In SiOxNy films, an intense single PL peak at 600nm (2.06eV) was observed under ultraviolet excitation (Ex=225nm).
英
美
释义
光致发光(PL)谱的研究结果表明,在225nm波长的光的激发下,SiO_xN_y薄膜的主要发光峰位位于600nm(2.;06eV)。
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