Wurtzite ZnO is a wide-bandgap semiconductor, whose band-gap energy is 3.37eV at room temperature and exciton binding energy is 60meV.

• ZnO的室温禁带宽度为3.；37eV，激子束缚能为60meV，具备实现室温的紫外受激辐射的条件，因此已经成为紫外光电子材料和器件研究领域的热点之一。