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This scheme speeds up the simulations of chip interconnect with a large number of simultaneous switching devices, while acquiring better accuracy compared to the corresponding transistor level models.
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释义
与相应的晶体管级模型相比,该方法在获得了更高仿真精度的同时,提高了具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度。
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