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Therefore, in this study, the InGaN-based solar cells, InGaN/GaN multiple quantum well and linearly-graded InxGa1-xN single layer were used to serve as the active layers to avoid the problem of crack.
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释义
在新颖材料氮化镓铟/氮化镓的结构设计上我们设计了几种结构,可分为多重量子井结构与线性梯度等磊晶方法来设计主动层的组成。
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