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The method of claim 21, wherein said film is a uniform film having electrical properties such that said semiconducting devices comprise insulated-gate field-effect transistors.
英
美
释义
根据权利要求21所述之方法,其中所述薄膜是一层具有电气特性的均匀薄膜,从而所述半导体器件包括绝缘栅场效应晶体管。
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