The high quality GaN was grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).We used Ni/Au as a schottky gate and Ti/Al/Ti/Au as a drain source of GaN MESFET.

• 我们利用了镍/金双层金属作为闸极的萧基接触电极，钛/铝/钛/金等多层金属作为汲极与源极的欧姆接触电极，比较在汲极与源极使用不同的合金条件下，制作出特性较佳的元件。