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The experimental results showed that firstly, the distribution of resistiveity, mobility, Carrier concentration , EPD and AB-EPD in GaAs substrate was not uniform;
英
美
释义
实验结果表明,LEC SI-GaAs的电阻率、迁移率、载流子浓度、位错密度和AB微缺陷分布都不是均匀的,且电参数的分布与AB-EPD、位错密度分布有关。
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