On the other hand, the interface trap charges with high-k dielectrics are larger than those with silicon dioxide. We will do our best to solve these problems.

• 另一方面，本材料直接和矽接合时，产生的界面缺陷；比二氧化矽更为严重。如何解决这些问题，便是我们当前努力的目标.；。