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Moreover, we done the same experiment on the (110) orientation Si and discuss flat-band voltage shift of MOS capacitor under biaxial strain.
英
美
释义
此外,我们也在(110)方向的矽基板上作了相同的实验,并且讨论其在双轴的伸展应力下金氧半电容的平带电压的移动情况。
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