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In this work, both NMOS and PMOS present the same result, this is, as the silicon substrate is bent, the sharper of the curve, the worse of the reliability.
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美
释义
利用此方法,我们成功提高NMOS的汲极电流与载子迁移率,提升幅度分别为12%25与6%25。在PMOS方面,则无任何改变量。
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