In this thesis, two topics related to the epitaxy of CoSi2 and its application are studied.
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在八英寸Si(100)衬底上利用Co/Si和Co/Ti/Si固相反应分别制备了多晶和外延CoSi2薄膜,通过四探针薄层电阻法(FPP)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等手段,研究了CoSi2薄膜的结构、CoSi2薄膜与硅衬底接触的界面状况、CoSi2薄膜的外延质量、高温稳定性、以及自对准工艺窗口。
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