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In the measurement with duration of 6 hours, the hydration depth of a PECVD SiO2 layer was about 500?? and the maximum gate voltage drift of a PECVD SiO2-gate ISFET was 81mV.
英
美
释义
六小时的量测结果显示,电浆辅助化学气象沈积的二氧化矽材料层的水合深度大约是500埃,并且最大的闸极电压飘移是81毫伏。
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