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Founding on the testing result, the reliability of driver IC have been analyzed by electromigration, latch up, isolation technology, VDMOS reliability and ESD.
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释义
针对测试结果对芯片进行了可靠性分析,分析从电迁移现象,闩锁效应,隔离技术,功率器件的可靠性以及静电保护这几部分展开。
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