Electronic structure analysis shows that the doping S could substantially lower the band gap of TiO_2 by the presence of an impurity state of S3p on the upper edge of valence band.

• 对TiO_(2-x)S_x的电子结构分析表明，其带隙相对于未掺杂TiO_2有所减小，这是由S3p杂质态在价带上边沿的出现造成的。 可以推断，由S3p杂质态到导带的跃迁造成了实验观测到的S掺杂TiO_2吸收边沿的红移。