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Adopting a silicon-on-insulator geometry can boost the rate at which the transistors can be made to switch on and off (or, alternatively, reduce the power needed) by up to 30 percent.
英
美
释义
采取绝缘层覆矽的几何结构,可以提升电晶体在开与关之间的切换速度(换种说法是降低所需的功率)达30%25之谱。
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