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Abstract: The microstructures of vacancy-type defect in HgCdTe (MCT) samples grown under micro-gravity condition were studied by positron lifetime measurements.
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释义
文摘:采用正电子湮没寿命谱方法,对空间微重力及重力条件下生长的碲镉汞(MCT)材料中的微观缺陷进行了研究。
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